- Pojedyncze oraz potrójne źródło naparowania z wykorzystaniem wiązki elektronów (EFM 3 & EFM 3T), komórka efuzyjna dla materiałów organicznych (OME40) oraz niskotemperaturowa komórka efuzyjna (NTEZ) dla czystego osadzania różnego rodzaju atomów i molekuł; możliwość kontrolowanego nanoszenia warstw sub-monoatomowych oraz wielowarstw przy wykorzystaniu miernika grubości warstwy (Film Thickness Monitor – FTM)
- Źródło atomowego wodoru (EFM-H) do pasywacji oraz źródło atomowego tlenu (OBS40) do kontrolowanej oksydacji powierzchni próbek
- Źródło rozpylania jonowego (ISE5) do czyszczenia próbek, profilowania głębokościowego (z użyciem ESCA) oraz kontrolowanego indukowania defektów
- Kwadrupolowy analizator masowy (Quad 300) do analizy gazów resztkowych (czystości próżni i poszukiwania nacieków)
Profil powierzchni Si (111) 7x7 wzdłuz zaznaczonej linii
Powierzchnia Si (111) 7x7 zobrazowana przy dwóch różnych polaryzacjach napięcia między ostrzem a próbką.
STM. Powierzchnia Si (111), rekonstrukcja 7x7.
Uzyskana poprzez obróbkę wysokotemperaturową w warunkach ultrawysokopróżniowych (tzw. flash). Rozdzielczość atomowa.